RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
101
Rund um 74% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
101
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
12.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
6.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
1382
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Mushkin 991586 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link