RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
1,394.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
6400
5300
Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
59
62
Rund um -5% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
62
59
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
3,525.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
1,394.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
5300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
361
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link