Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB

-->

Средняя оценка

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Средняя оценка

MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB

MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

1,843.6 1,394.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

6400 5300

Около 1.21% выше полоса пропускания

MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB

Причины выбрать
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

59 62

Около -5% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR2
Задержка в PassMark, нс

62 59
Скорость чтения, Гб/сек

3,556.6 3,525.1
Скорость записи, Гб/сек

1,843.6 1,394.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 5300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

542 361

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB

G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Kingston XRGM6C-MIE 16GB

Kingston XRGM6C-MIE 16GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB

Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB

Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Kingston KVR24N17S8/4 4GB

Kingston KVR24N17S8/4 4GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB

Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

модули RAM