RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
38
Около 34% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
38
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.8
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
3264
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link