RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
39
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
39
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2782
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link