Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

-->

Средняя оценка

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 10.9

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 62

Около -107% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.0 1,843.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

62 30
Скорость чтения, Гб/сек

3,556.6 10.9
Скорость записи, Гб/сек

1,843.6 10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

542 2587

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB

V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Kingston 99U5665-004.A00G 4GB

Kingston 99U5665-004.A00G 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB

Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB

Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

модули RAM

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Kingston 9965604-001.D00G 16GB

Kingston 9965604-001.D00G 16GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB

Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB

модули RAM