RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
77
Около 65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
5.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
77
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
13.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
1440
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Jinyu 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link