RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
39
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.9
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
16.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2782
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2133C9 4GB
Corsair CMZ8GX3M2X1600C7 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link