RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
39
Autour de 31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
39
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
25600
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
2782
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link