Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB

Различия

  • Выше скорость записи
    9.0 left arrow 8.3
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 29
    Около -7% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.8 left arrow 13.4
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    29 left arrow 27
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.4 left arrow 13.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.0 left arrow 8.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2423 left arrow 2282
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения