RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
62
Около 53% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
62
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1808
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link