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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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書き込み速度の高速化、GB/s
9.0
8.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
29
周辺 -7% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.8
13.4
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
27
読み出し速度、GB/s
13.4
13.8
書き込み速度、GB/秒
9.0
8.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
12800
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2423
2282
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