RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сравнить
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
60
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
7.8
5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.1
2,381.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
41
Скорость чтения, Гб/сек
5,082.2
7.8
Скорость записи, Гб/сек
2,381.6
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
925
1512
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston HP691160-H66-MCN 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link