RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    41 left arrow 49
    Около -20% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    7.8 left arrow 4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    6.1 left arrow 2,066.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 6400
    Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    49 left arrow 41
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,577.1 left arrow 7.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,066.5 left arrow 6.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    737 left arrow 1512

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
модули RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
модули RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
модули RAM