RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
60
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
7.8
5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.1
2,381.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
41
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
7.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
1512
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link