RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
77
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2588
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link