RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
77
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2588
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link