RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
33
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
13.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
2987
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link