ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Puntuación global
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Puntuación global
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    26 left arrow 33
    En 21% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.1 left arrow 12.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    13.0 left arrow 9.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 12800
    En 2 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    26 left arrow 33
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.6 left arrow 16.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.5 left arrow 13.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2174 left arrow 2987
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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