RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
95
Rund um 73% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
95
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
7.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
1518
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link