RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
95
Rund um 72% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
95
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.3
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
1518
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
INTENSO 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link