RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
54
Rund um -93% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.1
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
5300
Rund um 4.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
16.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
23400
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
3758
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link