RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
54
Около -93% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.1
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
5300
Около 4.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
16.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
23400
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3758
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link