RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Vergleichen Sie
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Gesamtnote
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gesamtnote
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
27
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
14.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
3204
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB RAM-Vergleiche
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link