RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Comparez
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Note globale
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Note globale
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
6.7
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
3204
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparaison des RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link