RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Vergleichen Sie
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Gesamtnote
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
36
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
12.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
3169
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB RAM-Vergleiche
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link