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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Comparez
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Note globale
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
36
Autour de 25% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
36
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
6.7
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
3169
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparaison des RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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