RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Vergleichen Sie
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Gesamtnote
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
94
Rund um 71% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
4.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
94
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
5.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
4.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
1334
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB RAM-Vergleiche
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link