RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
94
Wokół strony 71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
5.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.7
4.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
94
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
5.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
4.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
1334
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link