RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
72
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
72
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
1817
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link