Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    27 left arrow 72
    Wokół strony 63% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16.7 left arrow 15.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    11.8 left arrow 8.0
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 19200
    Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    27 left arrow 72
  • Prędkość odczytu, GB/s
    16.7 left arrow 15.3
  • Prędkość zapisu, GB/s
    11.8 left arrow 8.0
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2756 left arrow 1817
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania