RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Gesamtnote
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Gesamtnote
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
54
Rund um -74% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
1,973.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,967.4
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,973.5
15.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
776
3649
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB RAM-Vergleiche
Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Inmos + 256MB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link