RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
40
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
11.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2782
2362
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link