RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
11.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1967
2430
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB RAM-Vergleiche
AMD R534G1601U1S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link