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Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
44
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
3.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.9
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.8
11.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1299
2430
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
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