RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
44
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
3.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.9
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.8
11.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1299
2430
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link