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Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
44
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
6.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
3.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
27
Velocidad de lectura, GB/s
6.9
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
3.8
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1299
2430
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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