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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
28
En 11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
28
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2014
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
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