RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
6.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
14.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2014
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link