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A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Puntuación global
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
68
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,384.7
2,285.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
68
52
Velocidad de lectura, GB/s
4,165.3
5,635.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,285.0
2,384.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
6400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
784
1037
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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