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A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
比较
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
总分
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
总分
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
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需要考虑的原因
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
52
68
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,384.7
2,285.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
68
52
读取速度,GB/s
4,165.3
5,635.1
写入速度,GB/s
2,285.0
2,384.7
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
784
1037
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB RAM的比较
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB RAM的比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
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