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A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

总分
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A-DATA Technology DQVE1B16 2GB

A-DATA Technology DQVE1B16 2GB

总分
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Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology DQVE1B16 2GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
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Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB 需要考虑的原因
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    52 left arrow 68
    左右 -31% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    5 left arrow 4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,384.7 left arrow 2,285.0
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMark中的延时，ns
    68 left arrow 52
  • 读取速度，GB/s
    4,165.3 left arrow 5,635.1
  • 写入速度，GB/s
    2,285.0 left arrow 2,384.7
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    784 left arrow 1037

A-DATA Technology DQVE1B16 2GB RAM的比较

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