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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
52
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
2,384.7
2,160.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
43
52
读取速度,GB/s
5,987.5
5,635.1
写入速度,GB/s
2,160.7
2,384.7
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
1037
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB RAM的比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB RAM的比较
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
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