Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB против Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

-->

Средняя оценка

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Средняя оценка

Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Причины выбрать
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

43 52

Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения

5 5

Среднее значение в тестах

Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

Причины выбрать
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

2,384.7 2,160.7

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR2
Задержка в PassMark, нс

43 52
Скорость чтения, Гб/сек

5,987.5 5,635.1
Скорость записи, Гб/сек

2,160.7 2,384.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 6400

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

957 1037

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB

Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB

Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB

Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB

Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB

модули RAM