A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

A-DATA Technology DQVE1B16 2GB против Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB

A-DATA Technology DQVE1B16 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    52 left arrow 68
    Около -31% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    5 left arrow 4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,384.7 left arrow 2,285.0
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    68 left arrow 52
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,165.3 left arrow 5,635.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,285.0 left arrow 2,384.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 6400
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    784 left arrow 1037
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения