A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

Pontuação geral
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A-DATA Technology DQVE1B16 2GB

A-DATA Technology DQVE1B16 2GB

Pontuação geral
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Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    52 left arrow 68
    Por volta de -31% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    5 left arrow 4
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,384.7 left arrow 2,285.0
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latência em PassMark, ns
    68 left arrow 52
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,165.3 left arrow 5,635.1
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,285.0 left arrow 2,384.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    784 left arrow 1037
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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