Porównanie pamięci RAM A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

Wynik ogólny

A-DATA Technology DQVE1B16 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB

Powody do rozważenia
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

52 68

Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

5 4

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

2,384.7 2,285.0

Średnia wartość w badaniach

Pełna lista specyfikacji technicznych

A-DATA Technology DQVE1B16 2GB

Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

784 1037

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns