RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2340
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link