RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2340
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KM0VW4-MID 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link