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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.1
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
27
读取速度,GB/s
16.1
18.1
写入速度,GB/s
10.1
16.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3672
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
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