RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
33
Rund um -43% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.6
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.6
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
19.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
17.6
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
4100
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link