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Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
25
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.5
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
20
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.0
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.5
9.3
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3619
2340
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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