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Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
比较
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
25
左右 20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.5
9.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
25
读取速度,GB/s
21.0
14.8
写入速度,GB/s
17.5
9.3
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3619
2340
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB RAM的比较
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
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